3BHE006412R0101 | ABB 카드 3BHE006412R0101*ONE 년 WARRANTY*3BHE006412R01013BHE006412R0101

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일반 정보

ABB 3BHE006412R0101

절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 인 IGBT (InsulatedGateBipolarTransistor)는 완전히 제어되는 컴포지트입니다.

BJT (바이폴라 트랜지스터) 및 MOS (절연 게이트 전계 효과 트랜지스터)로 구성된 전압 구동 전력 반도체 장치,

MOSFET의 높은 입력을 갖는다. GTR의 임피던스 및 낮은 턴온 전압 강하 둘 다. GTR 포화 전압

감소되고, 전류 운반 밀도는 크지 만 구동 전류는 크다. MOSFET 구동 전력이 작고, t

스위칭 속도는 빠르지 만 전도 전압 강하가 크고 전류 전달 밀도가 작습니다.

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최소 주문 수량 : 1 개

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기술 사양, 매뉴얼 및 데이터 시트 : 요청시 제공

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자동화 뉴스

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