ASM 02-43059 REV CP 신호 제어 상자

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제품 세부사항

낮 측 문 운전사 산출. 낮 측 N 수로 MOSFET의 문에 이 핀을 연결하십시오. VIN 때

편견은, 내부 200-kΩ 저항기 잡아당기기 LDRV에 PGND 제거됩니다.

IC의 힘 배경. 낮 측 MOSFET의 근원에 이 핀을 연결하십시오. PGND는 이어야 합니다

PCB에 단일 지점을 통해 AGND에 연결하는.

내부 제어 회로와 문 운전사를 위한 내부 LDO 그리고 전력 공급의 산출. VCC는 전형적으로 입니다

7.5 TPS43060를 위한 V 및 TPS43061를 위한 5.5 볼트. 이 핀에서 낮 ESR 세라믹 축전기를 연결하십시오

PGND에. 티타늄은 0.47에서 10 µF에게 용량 범위를 추천합니다.

높 측 MOSFET 문 운전사를 위한 축전기 마디를 독력으로 나가십시오. 이 핀에서 띄우기 축전기를 연결하십시오

SW 핀에.

후원 변환기의 엇바꾸기 마디. 낮 측 MOSFET의 하수구의 접속점에 이 핀을 연결하십시오,

높 측 동시 MOSFET의 근원, 및 유도체.

높 측 문 운전사 산출. 높 측 동시 정류기 MOSFET의 문에 이 핀을 연결하십시오.

비스듬할 VIN가 제거될 때, 이 핀은 내부 200-kΩ 저항기를 통해서 SW에 연결됩니다.

힘 좋은 지시자. 이 핀은 열려있 하수구 산출입니다. 티타늄은 10-kΩ 풀업 저항기를 사이 추천합니다

PGOOD 및 VCC 또는 외부 논리 공급 핀.

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