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ABB IGCT 모듈 (Integrated Gate Commutated Thyristor) 의 부품 번호 3BHL000392R0101, 5SHX1060H0001, 3BHB003230R0101,
그리고 5SXE05-0152는 주로 모터 드라이브, 전력 변환기 및 그리드 애플리케이션과 같은 산업용 고전력 애플리케이션에서 사용되는 고성능 전력 반도체 장치를 나타냅니다.
높은 전류 용량:산업용 용역에서 큰 전류를 처리하도록 설계되어 중~고전력 변환기 및 드라이브에 적합합니다.
빠른 전환 성능:게이트-커머티트 티리스터 기술을 통합하여 전통적인 티리스터보다 더 빠르게 전환하여 시스템 효율성을 향상시킵니다.
낮은 전압 하락:전체 전력 효율과 열 관리를 향상시키는 전도 손실을 줄입니다.
견고한 건축물:높은 전기 및 기계적 스트레스에 견딜 수 있도록 만들어졌으며, 가혹한 운영 조건에서도 장기적인 신뢰성을 보장합니다.
더 나은 열 성능:효율적인 열 분비를 위해 최적화되어 과열 없이 높은 전력 수준에서 작동할 수 있습니다.
☞그러나, 우리가 더 잘 할 수 있다고 생각한다면, 우리의 어떤 제품에도 제안을 할 수 있습니다. ☞여러분 돈을 절약할 수 있다는 것을 자랑스럽게 생각합니다! ☞오퍼스 팀은 제안에 적시에 대응하기 위해 최선을 다합니다. ☞상품에 대한 통상 반응 시간은 24시간입니다. |
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DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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