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ABB 5SHY4045L0006은 3BHB030310R0001 또는 GVC736CE101로도 알려져 있으며,
까다로운 전력 전자 응용 분야를 위해 설계된 고성능 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor) 모듈입니다. ABB의 GVC736 시리즈의 일부로, 기존 사이리스터의 장점과
트랜지스터를 결합하여 초고속 스위칭 속도와 높은 전류 처리 능력을 제공합니다.
높은 전압 및 전류 용량: 4500V 정격이며 최대 2500A의 전류를 처리할 수 있어 고전력 응용 분야에 적합합니다.
빠른 스위칭 속도: 5 µs 미만의 스위칭 시간으로 동적 시스템에서 빠른 응답을 가능하게 합니다.
낮은 전도 손실: 얕은 에미터 구조와 버퍼 레이어 기술을 사용하여 동적 손실을 약 50% 줄여 에너지 효율을 향상시킵니다.
통합 보호 메커니즘: RC 흡수 및 보호 기능을 포함하여 복잡한 환경에서 안정적인 작동을 보장합니다.
모듈식 설계: 소형 폼 팩터(91mm 직경)와 경량(~3kg)으로 제어 시스템에 통합하기 용이합니다.
☞ 하지만 더 잘할 수 있다고 생각하시면, 저희 제품에 대해 제안을 해주세요. ☞ 우리는 당신의 비용 절감을 자랑스럽게 생각합니다! 제안하는 방법은 다음과 같습니다. ☞ 제안팀은 제안에 적시에 응답하기 위해 최선을 다합니다. ☞ 제안에 대한 일반적인 처리 시간은 24시간입니다. |
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DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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