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| Place of Origin: | Sweden |
| 브랜드 이름: | ABB |
| 인증: | CO.CQ |
| Model Number: | 3BHB030310R0001 |
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ABB 3BHB030310R0001 (5SHY4045L0006으로도 알려짐)은 고전력 산업용 애플리케이션을 위해 설계된 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor) 모듈입니다.
GCT(Gate Commutated Thyristors)의 낮은 전도 손실과 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors)의 빠른 스위칭 기능을 결합하여 IGCT는 고전압, 고전류 시나리오에 이상적입니다.
고전압 정격: 까다로운 전력 애플리케이션을 위해 최대 4500V를 지원합니다.
고전류 용량: 91A 정격으로 고전력 처리에 적합합니다.
통합 게이트 드라이브: 효율적인 제어를 위해 1:1 광 트리거 게이트 드라이브 비율을 사용합니다.
낮은 전도 손실: 동적 손실을 약 50% 줄이기 위해 고급 버퍼 레이어 및 얕은 이미터 기술을 통합합니다.
빠른 스위칭: 정확하고 효율적인 전력 제어를 위해 빠른 스위칭을 가능하게 합니다.
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| DI811 3BSE008552R1 | DSQC662 3HAC026254-001 | PU515 3BSE013063R1 |
| SC520 3BSE003816R1 | DSQC663 3HAC029818-001 | SB510 3BSE000860R1 |
| PM633 3BSE008062R1 | PM152 3BSE003643R1 | CS31 FPR3315101R1032 |
| 07DC92 GJR5252200R0101 | PM151 3BSE003642R1 | 3HAC14549-3 |
| DI801 3BSE020508R1 | SAFT110POW SAFT 110 POW | DSTX180 3BUR980025R1 |
| AI830 3BSE008518R1 | SNAT7640 SNAT 7640 3BSE003195R1 | DSQC651 3HEA800439-002 |
| DI821 3BSE008550R1 | DSQC625 3HAC020464-001 | HIEE200130R2 AFC094AE01 |
| DO801 3BSE020510R1 | DSQC378B 3HNE00421-1 | HIEE300831R0001 UAC346AE01 |
| PP865A 3BSE042236R2 | DSDX451 5716075-K | 07DI92 WT92 GJR5252400R4101 |
| SAFT188IOC SAFT 188 IOC | PFBO161 3BSE000460R1 | 07KT97 WT97 GJR5253000R4270 |
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